封装工艺的专利铟片（薄膜封装技术）

集成芯片是什么

集成芯片是现代数字集成芯片主要使用CMOS工艺制造的。CMOS器件的静态功耗很低，但是在高速开关的情况下，CMOS器件需要电源提供瞬时功率，高速CMOS器件的动态功率要求超过同类双极性器件。因此必须对这些器件加去耦电容以满足瞬时功率要求。

现代集成芯片有多种封装结构，对于分立元件，引脚越短，EMI问题越小。因为表贴器件有更小的安装面积和更低的安装位置，因此有更好的EMC性能，所以应首选表贴元件，甚至直接在PCB上安装裸片。

分类

主板芯片

主板集成芯片是指电脑主板主板所整合了显卡，声卡或者网卡的芯片。

电脑市场上很多主板都集成很多其他部件：显卡、声卡、网卡等。大家在选购集成主板产品的时候主要应该考虑使用者自身的需求，同时还应该注意：这些集成控制芯片在性能上略逊于同类中高端的板卡产品，如果有特殊需求的话要选购相对应的板卡来提高性能。 另外在主板插槽数量方面的选择也是如此，主要考虑自身的需求。要使用大量扩展卡来实现一些附加功能的话就应该去选择扩展插槽较多产品；希望配置大容量内存的话就挑选DIMM内存插槽较多的产品来实现功能。[2]

光子芯片

光子集成技术是光纤通信最前沿、最有前途的领域，它是满足未来 *** 带宽需求的更好办法。当大家还在固守着“全光通信”的思路的时候， *** 已在悄然改变。节点设备需要光电变换，通过“O-E-O”才能 将信号进行整形和放大，从而传给计算机。光子集成技术顺应了时代发展，光子集成比传统的分立“O-E-O”处理降低了成本和复杂性，带来的好处是以更低的成本构建一个具有更多节点的全新的 *** 结构，更多的节点意味着更灵活的接入，更有效的维护和故障处理。然而光子集成芯片的制造并不是一件容易的事情。光子器件具有三维结构，比二维结构的半导体集成要复杂得多。将激光器、检测器、调制器和其他器件都集成到芯片中，这些集成需要在不同材料（包括砷化铟镓、磷化铟等材料）多个薄膜介质层上重复地沉积和蚀刻。磷化铟晶片在生产线上经过一种称为光刻胶的浆状化学物质进行包裹。紫外线光通过一个镂空设计的模板照射到光刻胶上，产生了复杂的反应，其中一些半导体材料就粘在了晶片上，一些就被蚀刻掉了。2004年，大规模光子集成芯片——一对集成了50个光子器件的芯片呈现在人们的面前。此前，一些光芯片厂商只是做了一些少量器件的集成。光子集成技术成功地开发了400GB/s和1.6TB/s的芯片，实现了多达240个光器件的集成。光子集成领域的巨头美国Infinera公司于2008年2月宣布了其下一步光子集成产品的发展路线，预计每三年光子集成的密度将会提高一倍。

铟丝、铟箔、铟片、铟珠生产厂家？

韶关运田金属就是一个铟产品品牌，他们家可以做各种各样的铟产品。

做封装的上市公司有哪些

通富微电（002156）： 公司主要从事集成电路的封装测试业务，是国内现在实现高端封装测试技能MCM、MEMS量化生产的封装测试厂家，技能气力居超越职位。

2.长电科技（600584）：公司是我国半导体之一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产物格量处于国内超越程度。

已拥有与国际进步技能同步的IC三大重点技能研发平台，形成年产集成电路75亿块、大中小功率晶体管250亿只、分立器件芯片120万片的生产才能，已成为中国更大的半导体封测企业。

3.华天科技（002185）： 公司主要从事半导体集成电路、半导体元器件的封装测试业务，是国内重点集成电路封装测试企业之一。

公司的封装才能和技能程度在内资企业中位居第三，为我国西部地域更大的集成电路封装基地和富裕创新精力确当代化高新技能企业。

4.太极实业（600667）： 投资额为3.5亿美元的海力士大范围集成电路封装测试项目，建成后可形成每月12万片12英寸晶圆测试和7500万片12英寸晶圆封装的生产配套才能。

太极实业参预该项目，将由如今简单的业务模式转变为包罗集成电路封装测试在内的双主业模式。 

5.苏州固锝（002079）： 公司的主要产物为种种半导体二极管（不包罗光电二极管），具备全面的二极管晶圆、芯片策画制造及二极管封装、测试才能,保留国内半导体分立器件行业前10名、二极管分行业超越职位。

扩展资料：

技术简介

封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用。

而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，对于很多集成电路产品而言，封装技术都是非常关键的一环。

采用的CPU封装多是用绝缘的塑料或陶瓷材料包装起来，能起着密封和提高芯片电热性能的作用。由于现在处理器芯片的内频越来越高，功能越来越强，引脚数越来越多，封装的外形也不断在改变。

注意事项

1．芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1

2．引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能

3．基于散热的要求，封装越薄越好

作为计算机的重要组成部分，CPU的性能直接影响计算机的整体性能。而CPU制造工艺的最后一步也是最关键一步就是CPU的封装技术，采用不同封装技术的CPU，在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的CPU产品。

参考资料：百度百科——封装技术

LED洗墙灯和LED硬灯条的区别？

LED灯有好多种，有led灯，led灯，led灯杯，led节能灯，LED灯，LED埋地灯，LED轮廓灯，LED投光灯

一，LED灯，发光结构和工作原理

50年前，人们已经知道半导体材料的基本知识可以产生光，于1960年生产出之一台商业化二极管。LED是英文发光二极管（LED）的缩写，而其基本结构是一个电致发光的半导体材料，放置在导线架，然后用环氧树脂密封周围，保护内部芯线的效果，所以LED的抗震性能。

所述发光二极管芯片的

核心部分是一个p-型半导体和n型半导体，n型半导体和中间层之间的p型半导体，称为pn结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子和多数载流子复合的将多余的能量释放以光的形式，其将电能直接转化为光能。 PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光 *** 的二极管叫发光二极管，通称LED的原则。当它处于工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，从紫外半导体晶体的红外光不同的颜色，光强和电流。

其次，LED光源

1电压的特性。 LED低电压供电，在6-24V之间的电源电压，根据产品而异，所以它是一个比使用高压电源，特别适用于公共场所的安全。

2性能：减少80％的能源消耗与白炽灯的光效比较。

3适用性：很小，小片每一个LED单元是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且为环境变量。

4，稳定性：10万小时，光衰为初始的50％。

5响应时间：响应时间白炽灯毫秒响应时间，LED灯纳秒。

环境污染6：无有害金属汞。

7颜色：改变电流可以通过化学修饰 *** 变色，发光二极管方便地调整材料的能带结构和带隙，实现多色发光橙红色黄绿兰。作为红色LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，小电流，最后为绿色。

8价格：。发光二极管是昂贵的，相对于白炽灯，几个LED白炽灯具有相当的价格的价格，并且通常每个信号是300500二极管。

br单色LED和它的发展历史

制成的半导体PN结的之一个应用程序的/三种类型LED发光原理排在了20世纪60年代初。的材料，然后用砷化镓，头发红色光（λp= 650nm的），20毫安的驱动电流，光通量只有每千流明数份，约0.1流明/瓦特的相应的发光效率。

70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光光（λp= 555nm处），黄色光（λp= 590nm处）和橙光（λp= 610nm的），发光效率也提高到1流明/瓦。

在20世纪80年代初，出现了GaAlAs的了LED光源，使红色LED 10流明/瓦的光效。

90年代初，红光的研制成功，黄灯亮的GaAlInP和发绿，蓝光的GaInN两种新材料，LED的发光效率有了很大的提高。在2000年，前者做成的100流明/瓦的发光效率红，橙区光（λp= 615nm处）LED，而后者则是由在绿 *** 域的LED光（λp= 530nm处）的光效可达到50流明/瓦。

4单色LED应用

最初的LED光源被用作仪器仪表的指示，后来在各种光色的LED交通信号灯和大屏幕显示器已被广泛用于产生良好的经济效益和社会效益。 12英寸的红色交通信号灯为例，在美国将有长寿命，低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。红色滤色器，光损失的90％，只有200流明的红光。在灯的新的设计中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失，包括14瓦的总功率消耗，产生同样的光效。

LED汽车信号灯也是照明应用的重要领域。 1987年，中国开始在汽车上安装高位刹车灯，由于LED响应速度快（纳秒级），早期并让司机知道，尾随车辆行驶状况，减少汽车追尾事故的发生。

另外，LED灯在室外红，绿，蓝全彩显示屏，微型电筒钥匙链等各方面都得到了应用。

5 br，白光LED的发展

对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。 1998 LED白光研制成功的。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起制成。氮化镓芯片发出的蓝光光（λp= 465nm处，Wd =对30奈米），黄色YAG荧光粉含Ce3 +后高温烧结受蓝光激发发光峰值550nm。安装蓝色LED芯片的腔体反射碗，覆盖着一层薄薄的树脂与YAG混合，约200-500nm。由荧光粉基质吸收排放，混合蓝色和黄色荧光粉LED的蓝色部分放出另一部分，你可以得到得白光。现在，在InGaN / YAG白色LED的YAG磷光体，通过改变化学组成和磷光体层的厚度被调整，色温可以在3500-10000K以下方式获得着色为白色。

表I列出的种类和电流白光LED的发光原理。之一一直是蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉，约25流明的更佳发光效率/瓦，YAG激光，大多来自日本的日亚，2000元/公斤的价格进口的商品;二是日本住友电工开发与硒化锌白光LED的材料，不过发光效率较差。

也可以从表中看到的那样，某些类型的白色LED光源离不开四种荧光粉：稀土三基色红，绿，蓝色，红色和黄色粉末石榴石结构中的未来更看好的是三波长光，即以无机紫外光晶片加RGB三基色荧光粉的白光LED封装，预计今年，三波长白光LED机商品化的机会。但在这里，三基色荧光粉的粒度要求比较小，稳定性要求高，具体应用方面还在探索之中。

表中的白光LED芯片的种类和激励源的发光原理

1个蓝色LED数量的InGaN / YAG激光的InGaN蓝色和黄色的YAG混合成白色

BR /蓝色LED氮化铟镓/氮化铟镓磷红，由蓝光激发绿，蓝三基色荧光粉蓝白光

由蓝色LED的ZnSe薄膜层和衬底上激发黄色混合成白光发射

紫外LED氮化铟镓/氮化铟镓紫外线激发荧光粉的RGB三基色荧光粉发白光

2蓝黄色LED绿色LED氮化铟镓，磷化将有两个互补色芯片封装在一起，形成白光LED

3个蓝色LED绿色LED红色LED氮化铟镓的AlInGaP三原色会送一个小的芯片封装在一起，构成白光LED

多个各种光色的LED氮化铟镓，磷化镓的AlInGaP一起横跨在可见光区的各种光的芯片封装，构成白色LED

采用LED光源照明，先更换耗电的白炽灯，然后逐步向整个照明市场进军，这将节省大量的能源。最近，单白光LED已超过消耗1瓦电能，光输出25流明，而且还增加了它的实用性。表II和表III中列出了白色LED的进步的表现。表二单白色L ED的性能进步年份发光效能（流明/瓦）备注

1998年第5

199 15相媲美白炽灯

200125钨相媲美/ 2005 50

br卤素

估计长远的发展目标表三10瓦单白光LED

输入功率

/六大行业概况

在LED产业在日亚100流明/瓦

光输出的发光效率1000流明/瓦

br是之一次使用上述工艺技术开发的高亮度不同波长的LED，蓝紫色半导体激光器（激光二极管，LD），持有该行业的重量级蓝色LED专利产业。后日亚蓝光LED的生产，并获得电极结构，以及许多其他基本专利，坚持不提供授权，仅采自行生产策略，意图独占市场，使得蓝光LED价格昂贵。但对方有一个行业的产能颇不以为然，一些日本LED产业的日亚化学公司的战略，日本将在蓝光和白光LED竞争中，逐步，欧洲等国家LED产业抢占先机，将日本LED产业整体造成严重的伤害。因此，许多运营商将尽一切可能开展的蓝光LED生产的发展。目前，除日亚化学和住友电工，还有丰田合成，罗沐，东芝和夏普，美商Cree，全球三大照明厂奇异，飞利浦，欧司朗，和惠普，西门子，研究，安科投入了产品研发和生产，化带动工业化，市场化方面的白光LED产品起到了积极的推动作用。

半导体晶圆厂有毒吗

半导体晶圆厂主要生产的产品是半导体晶体棒或是半导体晶片。常见的有硅片、镓砷片、铟磷片等等。其主要原料是含有上述元素的化合物，至于毒性，要具体分析。原料上，二氧化硅并没有毒，但是粉末状的二氧化硅气溶胶就会引起尘肺和肺癌，就是有毒的。

另外，半导体厂常用的掺杂原料多数有毒，比如硅烷、砷烷等，或是三甲基镓等等化合物。它们或直接是剧毒物质，或其与空气、水等反应后生成的物质有毒。另外，传统生产晶圆的厂，会对晶体棒进行切割，其加工过程中产生的粉末也是有害的，原理和粉尘差不多。

扩展资料

晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。

硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。

参考资料来源：百度百科-晶圆

氧化铟的制备 ***

制取三氧化二铟的 *** 很多：有高频吹氧法、硝酸盐分解法、氢氧化铟分解法、碳酸分解法等

详细介绍：

硝酸盐分解法

1　试剂及仪器：金属铟 (4N或 5N)，高纯硝酸，分析纯酒精，温度控制仪，白钢锅，烧怀，马弗炉 。

2　试验 *** ：将 4N(或 5N)金属铟于白钢锅中熔化，泼成薄片，再加工成小片，每袋装 1kg铟片备用。向处理好的 5L烧怀内加入 1kg铟片，先用离子交换水洗两次，然后加 2 5L离子交换水和少量高纯硝酸在电炉上加热熔解，每次加酸量使溶液不能溢出为止。将澄清的溶液在电炉上加热浓缩，出现白色结晶后倒入瓷碗中继续浓缩，烧干后将调压器调小微热。将瓷碗放入马弗炉中焙烧，先加热至 50 0℃，无黄烟后，关炉门恒温 1 5h，然后升温至 63 0℃，恒温 2h后降温。待三氧化二铟降至室温即得。