dram技术专利许可（DRAM专利）

兆易创新：错失的大牛股！提升认知吧

1、这只股票去年5月份买入，并且在公众号发文推荐这只股票。结果在股价160元左右，我觉得估值太高了，减仓了。结果，去年更高涨到428元，现在277元。略表遗憾，哈哈。但是， 如果让我从新选一次，我还是会这样操作。因为对DRAM的认知不足，贪不得。

2、2019年业绩可谓亮丽：营业收入 32.03亿元，同比增长 42.62%；归属于上市公司股东的净利润 6.07亿元，同比增长 49.85%；经营现金流净值9.67亿，同比增长56.11%。其中，营收增长主要来源于储存芯片的增长（+7.17亿）。另外，合并报表的思立微也贡献了2.03亿的收入。2020年Q1季报，营收8.05亿元，同比增长76.51%；归母净利润1.68亿元，同比增长323.24%。经营现金流-7.08亿。

3、兆易创新2015年营收11.89亿，至2019年，复合年营收增长28.11%，去年是近几年营收增长最快的一年；2015年利润1.58亿，至2019年，复合利润增长40%。完完全全对得起“高增长”三个字。

4、储存行业在2019年有了一个上升势头，但是疫情大大打击了下游产品的需求，预估原来的上升势头会延后到2021年，今年就不要期待有业绩增长了。受益于TWS耳机的需求，公司的NOR Flash出货跃居全球第三，这个是重要看点，去年我看轻了TWS的威力，可惜。后期，对其他创新型消费电子的爆发，也比较期待。 汽车 行业的不景气，让公司MCU产品需求疲软。

5、兆易的重中之重，是看DRAM。如果它的DRAM没有搞出个名堂，现在900亿的市值是非常贵的。如果DRAM能够在世界占有一席之地，估值天花板就极高了。现在我没有持有兆易，因为我还在学习DRAM。另外，收集了一些DRAM的文章，公众号回复“兆易”可看。共同学习！求业内人士交流！

……

（资料更新至2020一季度报，也将持续跟踪）

NOR Flash 累计出货量已经超过 100 亿颗。2019年公司推出新一代高速 4 通道产品系列(GD25LT)， 是业内首款高速 4 通道 NOR Flash 解决方案，传输速率达 200MB/s;以及兼容 xSPI 规格的 8 通 道 SPI NOR Flash 产品系列(GD25LX)，传输速率达 400MB/s，是业内更高性能的 NOR Flash 解决方案之一。

目前公司 NOR Flash 产品工艺处于行业内主流技术水平，工艺节点主要为 65nm，同时有少量 55nm 工艺节点产品。2020 年公司将在现有基础上着力推进 55nm 先进工艺节点系列产品。总体看它的产品还是中低端为主。

特别说明。TWS耳机大大拉动了需求！

根据 CINNO Research 产业研究，公司 NOR Flash 全球市场份额在第二季度实现突破，上升至全球第四，并在第三季度跃居全球第三。 发展速度较快。

累计出货数量已超过 2 亿颗，客户数量超过 2万家，目前已拥有 320 余个产品型号、22 个产品系列及 11 种不同封装类型。目前，进一步扩展 MCU 产品组合，针对高性能、低成本和物联网应用分别开发新产品。更低功耗和成本的 M4 和 M23 系列产品推出，继续保持 M3 和 M4 产品市场的领先优势。2019年8月推出的全球首颗基于RISC-V内核的32位通用MCU 产品。 GD32 作为中国 32 位通用 MCU 领域的主流产品，以 24 个系列 320 余款产品选择，覆盖率稳居 市场前列，产品广泛应用于工业和消费类嵌入式市场，适用于工业自动化、人机界面、电机控制、 光伏逆变器、安防监控、智能家居家电及物联网等领域。

依据 IHS Markit 报告，在中国 Arm Cortex-M MCU 市场,2018 年公司销售额排名为第三位，市场占有率 9.4%。

公司通过对上海思立微电子 科技 有限公司收购进入传感器市场。在 2019 年公司提供嵌入式生物识别传感芯片，电容、超声、光学模式指纹识别芯片以及自、互容触控屏控制芯片。 传感器主要产品包括电容触控芯片、指纹识别芯片，广泛应用于新一代智能移动终端的传感 器模组，也适用于工业自动化、车载人机界面及物联网等需要智能人机交互解决方案的领域。

在光学指纹传感器方面，积极优化 透镜式光学指纹产品，并推出 LCD 屏下光学指纹、超小封装透镜式光学指纹产品、超薄光学指 纹产品、大面积 TFT 光学指纹产品，成为全行业唯一一家拥有指纹全部品类的公司。在 MEMS 超声指纹传感器研发方面也取得了阶段性进展。 依据赛迪数据，2018 年公司传感器业务(思立微)中，触控芯片全球市场份额为 11.40%，排名第四；指纹芯片全球市场份额为 9.40%，排名第三。

目前中国大陆 DRAM 产业技术仍处发展阶段，三星电子、SK 海力士和美国的美光 科技 ，占据全球 95%以上的市场份额。

2019 年 4 月 26 日，公司与合肥产投、 合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》，约定以可转股债权方式对项目投资 3 亿元，并继续研究商讨后续合作方案。业务方面，公司将与合肥长鑫发挥优势互补，探讨在 DRAM 产品销售、代工、以及工程端的多种合作模式。

长鑫底层技术来自奇梦达（Qimonda），后者自2006年从母公司英飞凌剥离后一路开挂，DRAM产品销量并稳居全球第二，300mm晶圆领导者和PC及服务器DRAM产品市场更大的供应商之一，戏剧化的是三年后其申请破产。长鑫通过与奇梦达的合作，共将一千多万份DRAM相关的技术文件（大小约2.8TB）收入囊中，截止目前共有1.6万项专利申请，据悉长鑫方面随后对部分技术细节进行修改，以规避美国方面的实体名单出口制裁。

长鑫存储于 2019 年 9 月亮相其 19纳米工艺的 8Gb DDR4 芯片产品，实现中国 DRAM 技术的突破。同时这也是与世界主流产品同步的技术。目前长鑫官网上已经开始对外供应DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模组。预计今年底扩展到4万片晶圆/月，产能大约能占到全球内存产能的3%。

2020 年继续推进公司非公开发行股票事项，拟募集资金不超过约 43 亿元，用以设计和开发 DDR3、 LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。预计，2021年实现量产。对了，长鑫存储的董事长兼首席执行官是兆易的控制人朱一明，长鑫如果成了，兆易可以收购。

2019 年公司研发投入达到 3.78 亿元，占营业收入 11.8%，相比 2018 年同期增长 64.33%。 公司在推出具备技术、成本优势的全系列产品的同时，积累了大量的知识产权专利。截止 2019 年末，在涵盖 NOR Flash、NAND Flash、MCU、指纹识别等芯片关键技术领域，公司已积累 1,195 项国内外有效的专利申请，其中 2019 年已提交新申请专利 201 项，新获得 156 专利授权。

根据中国海关统计数据，2019 年中国集成电路进 口金额 3055.5 亿美元，同比下降 2.1%;集成电路进口数量 4451.3 亿个，同比增长 6.6%。2019 年中国集成电路出口金额 1015.8 亿美元，同比增长 20.1%;集成电路出口数量 2187 亿个，同比 增长 0.7%。 目前集成电路已经成为中国之一大进口商品，在当前中美贸易摩擦的情形下，集成电路产业国产替代大有可为。

2018 年 3 月，十三届全国人大一次会议 *** 工作报告中，集成电路被列入加快制造 强国建设需推动的五大产业首位。根据《中国制造 2025》规划目标，到 2020 年集成电路产业与 国际先进水平的差距逐步缩小，半导体产业自给率达到 40%。自 2016 年以来，国内开始出台了 大量政策，包括中央、地方促进第三代半导体产业的发展。在国家集成电路产业投资基金之外， 十几个省市也已成立地方性产业基金。

1、NAND Flash 闪存 ：企业级 SSD 和智能手机成为两大主力需求 ，需求量乏力，预估2020年市场也不乐观。

2、NOR Flash 闪存：物联网、5G 基站、 汽车 智能化、TWS 耳机等等都是需求来源，需求相当旺盛；根据 Morgan Stanley 研究报告评估，预计 2020 年 NOR Flash 全球营收较 2019 年相比将迎来 3%的增长 。

3、MCU 产品 ： 汽车 应用仍然是 MCU 产品更大的终端用户市场，由于 汽车 市场的衰退，MCU市场相当惨淡，2019 年 MCU 营收较 2018 年预计下降 5.8% 至 165 亿美元，全球 MCU 单位出货量从 2018 年的 281 亿颗下降至 269 亿颗。 2020年还是看 汽车 市场。

4、指纹传感器芯片 ：2019 年指纹传感器的 出货量将达到 9.9 亿颗，同比增长约 12.5%。 虽然手机市场疲软，但是指纹传感器应用实在上升期，未来需求也是增长状态。预估至 2024 年，整体屏下指纹手机出货量将达 11.8 亿台，年 均复合增长率 CAGR 达 42.5%。

5、DRAM 芯片：DRAM 市场需求增长主要依靠手机和 Server 两大市场，由于 PC、服务器与智能手机等终端产品需求疲软 ，根据 SIA(美国半导体行业协会)数据统计，与 2018 年相比，DRAM 产品 2019 年销售 额下降了 37.1%。 2020年，这部分需求也不容乐观。

公司是目前中国大陆领先的闪存芯片设计企业。据 TrendForce 数据统计，按营业收入计算， 公司 2018 年保持中国 IC 设计行业收入排名前十。

据 CINNO Research 对 2019 第三季度存储产业研究报告显示，公司 Nor Flash 市场份额提升到18.3%，超越赛普拉斯排名全球第三，前二名分别为华邦电子和旺宏电子。

依据 IHS Markit 报告，在中国 Arm Cortex-M MCU 市场,2018 年公司销售额排名为第三位，市场占有率 9.4%，前两位分别为意法半导体(STMicroelectronics)和恩智浦半导体(NXP)。

依据赛迪数据，2018 年 公司传感器业务(思立微)中，触控芯片全球市场份额为 11.40%，排名第四；指纹芯片全球市场份额为 9.40%，排名第三，前二位分别为汇顶 科技 、FPC。

1、该公司的NOR Flash技术相对低端，是大厂忽略、不做的市场，它是兆易当前的主业，未来应该是DRAM；

2、公司在快速扩张，横向（收购思立微），纵向（DRAM研发）都在发力。DRAM或许能够杀出一条出路，个人还需深入了解，欢迎业内人士交流；

合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？

长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！

两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。

长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。

另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！

综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！

冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。

存储芯片的前景如何展望？

合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。

长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。

最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？

Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。

近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。

全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。

2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名之一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。

总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是更大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。

未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。

当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。

合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。

看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的

目前看合肥长鑫优势明显

合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。

这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。

不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经 *** 纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。

这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。

从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。

国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。

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理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。

市场来说长鑫的dram内存价值更大。

但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。

合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。

长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界更高的IO速度，更高的存储密度和更高的单颗容量。

存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。

谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距

当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。

内存储器的发展历程

对于用过386机器的人来说，30pin的内存，我想在很多人的脑海里，一定或多或少的还留有一丝印象，这一次我们特意收集的7根30pin的内存条，并拍成图片，怎么样看了以后，是不是有一种久违的感觉呀！

30pin 反面 30pin 正面

下面是一些常见内存参数的介绍：

bit 比特，内存中最小单位，也叫“位”。它只有两个状态分别以0和1表示

byte字节，8个连续的比特叫做一个字节。

ns（nanosecond）

纳秒，是一秒的10亿分之一。内存读写速度的单位，其前面数字越小表示速度越快。

72pin正面 72pin反面

72pin的内存，可以说是计算机发展史的一个经典，也正因为它的廉价，以及速度上大幅度的提升，为电脑的普及，提供了坚实的基础。由于用的人比较多，目前在市场上还可以买得到。

SIMM（Single In-line Memory Modules）

单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前，多采用30针的SIMM接口，而在Pentuim中更多的是72针的SIMM接口，或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。

ECC（Error Checking and Correcting）

错误检查和纠正。与奇偶校验类似，它不但能检测到错误的地方，还可以纠正绝大多数错误。它也是在原来的数据位上外加位来实现的，这些额外的位是用来重建错误数据的。只有经过内存的纠错后，计算机操作指令才可以继续执行。当然在纠错是系统的性能有着明显的降低。

EDO DRAM（Extended Data Output RAM）

扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。因此，成为中、低档Pentium级别主板的标准内存。

DIMM（Dual In-line Memory Modules）

双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。

PC133

SDRAM（Synchronous Burst RAM）

同步突发内存。是168线、3.3V电压、带宽64bit、速度可达6ns。是双存储体结构，也就是有两个储存阵列，一个被CPU读取数据的时候，另一个已经做好被读取数据的准备，两者相互自动切换，使得存取效率成倍提高。并且将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间，所以其传输速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM采用了多体（Bank）存储器结构和突发模式，能传输一整数据而不是一段数据。

SDRAM ECC 服务器专用内存

RDRAM（Rambus DRAM）

是美国RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技术基础上研制的一种存储器。用于数据存储的字长为16位，传输率极速指标有望达到600MHz。以管道存储结构支持交叉存取同时执行四条指令，单从封装形式上看，与DRAM没有什么不同，但在发热量方面与100MHz的SDRAM大致相当。因为它的图形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要应用于高档显卡上做显示内存。

Direct RDRAM

是RDRAM的扩展，它使用了同样的RSL，但接口宽度达到16位，频率达到800MHz，效率更高。单个传输率可达到1.6GB/s，两个的传输率可达到3.2GB/s。

点评：

30pin和72pin的内存，早已退出市场，现在市场上主流的内存，是SDRAM，而SDRAM的价格越降越底，对于商家和厂家而言，利润空间已缩到了极限，赔钱的买卖，有谁愿意去做了？再者也没有必要，毕竟厂家或商家们总是在朝着向“钱”的方向发展。

随着 INTEL和 AMD两大公司 CPU生产飞速发展，以及各大板卡厂家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的发展和普及，究竟哪一款会成为主流，哪一款更适合用户，市场终究会证明这一切的。

机存取存储器是电脑的记忆部件，也被认为是反映集成电路工艺水平的部件。各种存储器中以动态存储器（DRAM）的存储容量为更大，使用最为普及，几十年间它的存储量扩大了几千倍，存取数据的速度提高40多倍。存储器的集成度的提高是靠不断缩小器件尺寸达到的。尺寸的缩小，对集成电路的设计和制造技术提出了极为苛刻的要求，可以说是只有一代新工艺的突破，才有一代集成电路。

动态读写存储器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存储单元分布电容上的电荷来存储数据位，由于电容电荷会泄漏，为了保持信息不丢失，DRAM需要不断周期性地对其刷新。由于这种结构的存储单元所需要的MOS管较少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同时每位的价格更低。DRAM一般都用于大容量系统中。DRAM的发展方向有两个，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、专用化。

从1970年Intel公司推出之一块1K DRAM芯片后，其存储容量基本上是按每三年翻两番的速度发展。1995年12月韩国三星公司率先宣布利用0.16μm工艺研制成功集成度达10亿以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。这个领域的竞争非常激烈，为了解决巨额投资和共担市场风险问题，世界范围内的各大半导体厂商纷纷联合，已形成若干合作开发的集团格局。

1996年市场上主推的是4M位和16M位DRAM芯片，1997年以16M位为主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市场占有率达52%；16M DRAM的市场占有率为45%。1999年64M DRAM市场占有率已提高到78%，16M DRAM占1%。128M DRAM已经普及，明年将出现256M DRAM。

高性能RISC微处理器的时钟已达到100MHz～700MHz，这种情况下，处理器对存储器的带宽要求越来越高。为了适应高速CPU构成高性能系统的需要，DRAM技术在不断发展。在市场需求的驱动下，出现了一系列新型结构的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。为了提高动态读写存储器访问速度而采用不同技术实现的DRAM有：

（1） 快速页面方式FPM DRAM

快速页面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已经成为一种标准形式。一般DRAM存储单元的读写是先选择行地址，再选择列地址，事实上，在大多数情况下，下一个所需要的数据在当前所读取数据的下一个单元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通过保持同一个行地址来选择不同的列地址实现存储器的连续访问。减少了建立行地址的延时时间从而提高连续数据访问的速度。但是当时钟频率高于33MHz时，由于没有足够的充电保持时间，将会使读出的数据不可靠。

（2） 扩展数据输出动态读写存储器EDO DRAM

在FPM技术的基础上发展起来的扩展数据输出动态读写存储器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的输出端加一组锁存器构成二级内存输出缓冲单元，用以存储数据并一直保持到数据被可靠地读取时为止，这样就扩展了数据输出的有效时间。EDODRAM可以在50MHz时钟下稳定地工作。

由于只要在原DRAM的基础上集成成本提高并不多的EDO逻辑电路，就可以比较有效地提高动态读写存储器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成为动态读写存储器设计的主流技术和基本形式。

（3） 突发方式EDO DRAM

在EDO DRAM存储器的基础上，又发展了一种可以提供更高有效带宽的动态读写存储器突发方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。这种存储器可以对可能所需的4个数据地址进行预测并自动地预先形成，它把可以稳定工作的频率提高到66MHz。

（4） 同步动态读写存储器SDRAM

SDRAM（Synchronous DRAM）是通过同步时钟对控制接口的操作和安排片内隔行突发方式地址发生器来提高存储器的性能。它仅需要一个首地址就可以对一个存储块进行访问。所有的输入采样如输出有效都在同一个系统时钟的上升沿。所使用的与CPU同步的时钟频率可以高达66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一个可编程方式寄存器。采用SDRAM可大大改善内存条的速度和性能，系统设计者可根据处理器要求，灵活地采用交错或顺序脉冲。

Infineon Technologies(原Siemens半导体)今年已批量供应256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技术生产，在100MHz的时钟频率下输出时间为10ns。

（5） 带有高速缓存的动态读写存储器CDRAM

CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱电气公司开发的专有技术，1992年推出样品，是通过在DRAM芯片，集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。这种芯片用单一+3.3V电源，低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供的CDRAM为4Mb和16Mb，其片内Cache为16KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100MHz的数据访问。流水线式存取时间为7ns。

（6） 增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM）

由Ramtron跨国公司推出的带有高速缓冲存储器的DRAM产品称作增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM），它采用异步操作方式，单一+5V工作电源，CMOS或TTL输入输出电平。由于采用一种改进的DRAM 0.76μm CMOS工艺和可以减小寄生电容和提高晶体管增益的结构技术，其性能大大提高，行访问时间为35ns，读/写访问时间可以提高到65ns，页面写入周期时间为15ns。EDRAM还在片内DRAM存储矩阵的列译码器上集成了2K位15ns的静态RAM高速缓冲存储器Cache，和后写寄存器以及另外的控制线，并允许SRAM Cache和DRAM独立操作。每次可以对一行数据进行高速缓冲。它可以象标准的DRAM对任一个存储单元用页面或静态列访问模式进行操作，访问时间只有15ns。当Cache未命中时，EDRAM就把新的一行加载到Cache中，并把选择的存储单元数据输出，这需要花35ns。这种存储器的突发数据率可以达到267Mbytes/s。

（7） RDRAM（Rambus DRAM）

Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研制的一种独特的接口技术代替页面方式结构的一种新型动态读写存储器。这种接口在处理机与DRAM之间使用了一种特殊的9位低压负载发送线，用250MHz同步时钟工作，字节宽度地址与数据复用的串行总线接口。这种接口又称作Rambus通道，这种通道嵌入到DRAM中就构成Rambus DRAM，它还可以嵌入到用户定制的逻辑芯片或微处理机中。它通过使用250MHz时钟的两个边沿可以使突发数据传输率达到500MHz。在采用Rambus通道的系统中每个芯片内部都有它自己的控制器，用来处理地址译码和面页高速缓存管理。由此一片存储器子系统的容量可达512K字节，并含有一个总线控制器。不同容量的存储器有相同的引脚并连接在同一组总线上。Rambus公司开发了这种新型结构的DRAM，但是它本身并不生产，而是通过发放许可证的方式 *** 它的技术，已经得到生产许可的半导体公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。

被业界看好的下一代新型DRAM有三种：双数据传输率同步动态读写存储器（DDR SDRAM）、同步链动态读写存储器（SLDRAM）和Rambus接口DRAM（RDRAM）。

（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）

在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay-locked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据（而不是之一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍，故称作双数据传输率（DDR）DRAM，它实际上是第二代SDRAM。由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上，其价格在中低档PC机上可能难以接受。

（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）

这是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等业界大公司联合制定的一个开放性标准，委托Mosaid Technologies公司设计，所以SLDRAM是一种原本最有希望成为高速DRAM开放性工业标准的动态读写存储器。它是一种在原DDR DRAM基础上发展的一种高速动态读写存储器。它具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但是它比其工作频率要低；另外生产这种存储器不需要支付专利使用费，使得制造成本较低，所以这种存储器应该具有市场竞争优势。但是由于SLDRAM联盟是一个松散的联合体，众多成员之间难以协调一致，在研究经费投入上不能达成一致意见，加上Intel公司不支持这种标准，所以这种动态存储器反而难以形成气候，敌不过Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用于通信和消费类电子产品，高档PC和服务器。

（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）

从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM标准，这就是DRDRAM（Direct RDRAM）。这是一种基于协议的DRAM，与传统DRAM不同的是其引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加硬件引脚。这种芯片可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHz时就可以使更大数据输出率达1.6Gb/s。东芝公司在购买了Rambus公司的高速传输接口技术专利后，于1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是数据存储器，另外8Mb用于纠错校验，由此大大提高了数据读写可靠性。

Intel公司办排众议，坚定地推举DRDRAM作为下一代高速内存的标准，目前在Intel公司对Micro、Toshiba和Samsung等公司组建DRDRAM的生产线和测试线投入资金。其他众多厂商也在努力与其抗争，最近AMD宣布至少今年推出的K7微处理器都不打算采用Rambus DRAM；据说IBM正在考虑放弃对Rambus的支持。当前市场上同样是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他标准的贵45美元。

由此可见存储器的发展动向是：大容量化，高速化， 多品种、多功能化，低电压、低功耗化。

存储器的工艺发展中有以下趋势：CHMOS工艺代替NMOS工艺以降低功耗；缩小器件尺寸，外围电路仍采用ECL结构以提高存取速度同时提高集成度；存储电容从平面HI-C改为深沟式，保证尺寸减少后的电荷存储量，以提高可靠性；电路设计中简化外围电路结构，注意降低噪声，运用冗余技术以提高质量和成品率；工艺中采用了多种新技术；使DRAM的存储容量稳步上升，为今后继续开发大容量的新电路奠定基础。

从电子计算机中的处理器和存储器可以看出ULSI前进的步伐和几十年间的巨大变化。

芯片技术如此难搞如此复杂，韩国人是怎么会的？

本来是路过，但看了前面的回答有许多错误，我就不请自来凑凑热闹了。我们熟知的芯片主要分为两大类：处理器和存储，处理器是美国人为王，存储则是韩国人称霸，代表有三星和海力士，这两家主要是做DRAM（用作手机的运存和电脑的内存）和闪存（用作手机的内存和电脑的固定硬盘），其中三星最能代表韩国的半导体存储产业在全球的影响力。

三星集团的前身是成立于1938年的三星商会，主要做鱼干和水果出口的买卖，典型的小本买卖。下面就讲讲三星如何在半导体存储领域麻雀变凤凰的故事。李秉喆感受到污辱很多人以为，三星半导体起步于李健熙时代，其实最早是从他爹李秉喆（三星创始人）开始的。

三星最早是卖鱼干的杂货铺，不过到1970年，李秉喆已经把三星变成一家家电公司，生产电冰箱、电视机等家电产品，看起来上档次了。但三年后，三星这种上档次的买卖不好做了。由于三星家电产品需要的半导体采购自日本企业，1973年全球石油危机爆发，日本人对三星吝啬起来，不供应半导体。结果，三星的电视、冰箱不得不停产。

三星介入半导体最早是从李秉喆开始，而NEC的闭门羹让李坚定进入半导体的决心好好的家电买卖就因为半导体停摆，而且给钱日本人也不卖。李秉喆感觉受到了污辱（个人认为没赚到钱心情不好也是原因之一）。不过，将杂货铺干成正规大公司，李秉喆也是有两刷子的，他发现当时日本开始举国调整产业政策，从钢铁、水泥、造船这种傻大粗的重工业，调整到半导体、电脑、新材料等高科技新兴产业。

嗅觉灵敏的李秉喆同志立即闻到了金钱的味道，本着“你能赚钱我也能赚钱”的原则，决定三星也要做高大上的半导体。李秉喆再次感受到污辱李秉喆找到好哥们NEC会长，提出要学习半导体技术。李同志这么做有他的道理：交友千日，用友一时，现在考验友谊的时候到了。他忘了“在商言商”和“亲兄弟明算账”的古训，和NEC会长的友谊小船说翻，马上就翻了。

NEC会长说：李大兄弟，借钱可以，借技术的不行！于是，李秉喆再次感到污辱，而且是一生受到的污辱中更大的一次。回去后，他给三星经营层下了死命令：“必须超越NEC！”但决心归决心，怎么把决心落地才是最重要的。

三星在1982年成立特别工作小组，经过6个月搜集、分析信息，最关键的是找到在美国半导体企业和大学中工作的韩裔工程师和科学家帮助研究市场、甄别技术供应商，成功地找到陷在亏损泥潭愿意出售技术的美光科技，购买了64K

DRAM芯片设计技术许可。

三星从此进入半导体朋友圈，不过，在这个圈里，三星当了差不多10年小跟班。到1992年，三星当小跟班当腻了，想挑战生产256MB容量的DRAM。当时全世界还没有生产这么大容量的设备，三星投入1700亿韩元，花了两年时间研发出设备，同时开发出相应的设计和工艺生产技术。1994年8月，三星全球首发256MB

DRAM，领先日本、美国。

三星半导体在李健熙手里完成超越对手的目标后来的故事大家就比较熟悉了，三星在前面跑，陆续超越对手，日本半导体企业逐渐从老大位置退居吃土专业户，一 *** 日本半导体企业开始走上变卖家产的没落生活。简单总结一下，三星在半导体领域麻雀变凤凰的秘诀：

向行业之一名持续不断发起挑战，同时制定配套的落地措施，包括组织调整、业务分工以及详细实施计划，并设定超出员工现有能力的目标，迫使从管理层到普通员工产生危机意识，带动工作积极性和效率；逆周期战法，在行业不景气对手缩头过冬时，三星逆势加大投资于设备和工艺研发，当行业复苏时，三星可以领先对手早早投入新品抢占市场；为学到技术，不在乎路子野不野。

典型的做法是，想办法（各种姿势都有，能学到就行）把供应商的技术经验学到手，消化吸收改良后变成自己的技术，然后想办法申请专利；产品开发有自己的一套，通常的做法是购入对手产品，仔细分析三星产品和对手产品的差距，找出差距产生的原因、背景，制定解决差距的方案，确定超越的 *** ，然后推出产品超越对手。

内存的知识

内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。

通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。RAM要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失。

如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑，重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应，那有没有办法解决这个问题呢?随着技术的进步，人们想到了一个办法，即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失，这就是电脑的休眠功能，特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用，休眠时电源处于连接状态，但是耗费少量的电能。

按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（SIMM），和双列直插内存条（DIMM）。SIMM内存条分为30线，72线两种。DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。

按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高30%。EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。

S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM） 存储器总线式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。

内存的参数主要有两个：存储容量和存取时间。存储容量越大，电脑能记忆的信息越多。存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算。一纳秒等于10^9秒。数字越小，表明内存的存取速度越快。